подложка кремниевая

См. также в других словарях:

• кремниевая подложка — silicio padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon base; silicon body; silicon substrate vok. Siliziumsubstrat, n rus. кремниевая подложка, f pranc. substrat de silicium, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• кремниевая подложка с V-образными канавками — silicio padėklas su V grioveliais statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. V groove silicon substrate vok. V Graben Siliziumsubstrat, n rus. кремниевая подложка с V образными канавками, f pranc. substrat en silicium à rainures en V,… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Intel Core i7 — <<   Core i7      Центральный процессор Производство: 10 ноября …   Википедия

• Core i7 — <<   Core i7      Центральный процессор …   Википедия

• ПЗС-матрица — …   Википедия

• Микроэлектроника —         область электроники (См. Электроника), занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. Возникновение М. в начале 60 х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением… …   Большая советская энциклопедия

• МОП-транзистор — Полевой транзистор с МОП структурой затвора; токи протекают в канале между истоком и стоком; канал создается при прикладывании соответствующего потенциала к выводу затвора и инвертировании поверхности полупроводника под затвором; МОП структура… …   Справочник технического переводчика

• Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д …   Википедия

• SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

• Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

• КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия